Lecția 7.5 — Bandwidth și memorie

Un GPU cu 10 TFLOPS de putere de calcul este inutil dacă nu primește datele suficient de repede. Bandwidth-ul — cantitatea de date transferată pe secundă între memorie și procesor — este adesea factorul care determină performanța reală a unui sistem grafic. PlayStation 5 oferă 448 GB/s de bandwidth prin GDDR6, iar Xbox Series X atinge 560 GB/s — numere care definesc câte texturi, vertecși și framebuffer-uri pot fi procesate pe secundă.

Această lecție acoperă bandwidth-ul (capacitatea de transfer a bus-ului de memorie), latența (timpul de acces la fiecare cerere individuală) și influența acestora asupra performanței — de ce un GPU cu bandwidth insuficient nu poate atinge rezoluția sau framerate-ul nominal.

Scopul nu este memorarea specificațiilor de bandwidth, ci înțelegerea de ce PS5 folosește un bus de 256-bit pentru a atinge 448 GB/s, cum aceste numere determină direct calitatea vizuală sustenabilă în timp real și de ce bandwidth-ul, nu doar puterea de calcul, dictează performanța grafică.

7.5.1 — Definiția memory bandwidth

• Memory bandwidth = rata la care datele pot fi citite din sau stocate într-o memorie semiconductoare de către un procesor
• Se exprimă de obicei în bytes/second (octeți pe secundă)
• Bandwidth-ul anunțat pentru o memorie sau sistem este de obicei maximum teoretic
• În practică, bandwidth-ul observat va fi mai mic decât cel anunțat (garantat să nu depășească)
• Există benchmark-uri (ex. STREAM) pentru a măsura bandwidth-ul susținut folosind diverse tipare de acces

7.5.2 — Convenții de măsurare a bandwidth-ului

• 3 convenții diferite pentru definirea cantității de date transferate:

1. Convenția bcopy: numără cantitatea de date copiate dintr-o locație în alta per unitate de timp

• Exemplu: copierea a 1 milion de bytes = 1 milion bytes/s

2. Convenția STREAM: sumează datele citite explicit + datele scrise explicit de codul aplicației

• Același exemplu = 2 milioane bytes/s (1M citit + 1M scris)
• Cel mai direct legată de codul utilizatorului

3. Convenția hardware: numără traficul real de date al hardware-ului (inclusiv cel neexplicit)

• Sisteme cu write-allocate cache policy adaugă trafic suplimentar
• Același exemplu = 3 milioane bytes/s (citire sursă + citire destinație + scriere destinație)
• Cel mai direct legată de hardware

7.5.3 — Calculul bandwidth-ului și nomenclatura

• Pentru DDR SDRAM (DDR, DDR2, DDR3, DDR4), bandwidth-ul total = produs de:

• Frecvența de bază a ceasului DRAM

• Numărul de transferuri de date per ciclu de ceas: 2 (pentru DDR = "double data rate")

• Lățimea magistralei de memorie (interfață): 64 biți per interfață DDR

• Numărul de interfețe: PC-urile moderne folosesc de obicei 2 interfețe (dual-channel) = 128 biți efectivi

• EXEMPLU CALCUL: dual-channel DDR2-800 la 400 MHz:

400.000.000 cicluri/s × 2 transferuri/ciclu × 64 biți/transfer × 2 interfețe =

102.400.000.000 biți/s = 12.800 MB/s = 12,8 GB/s (burst rate teoretic)

• Convenția de denumire DDR:
• DDR2-800 = viteza maximă (800 MT/s, NU frecvența ceasului)
• PC2-6400 = bandwidth-ul maxim (6400 MB/s per interfață de 64 biți)
• Dual-channel efectiv = 128 biți lățime
• Plăci grafice moderne folosesc mai mult de 2 interfețe de memorie:
• Intel LGA 2011, NVIDIA GeForce GTX 980: 4 interfețe
• NVIDIA GeForce GTX TITAN: 384 biți (6 interfețe × 64 biți)
• AMD Radeon R9 290X: 512 biți (8 interfețe × 64 biți)

7.5.4 — Biți ECC

• Sistemele cu memorie ECC (error-correcting code) au interfețe mai late (72 biți vs 64)
• Biții suplimentari NU se numără în specificațiile de bandwidth (nu stochează date utilizator)
• Biții ECC fac parte din hardware-ul memoriei, nu din informația stocată

7.5.5 — Definiția CAS latency

• CAS latency (CL) = Column Address Strobe latency
• Întârzierea între comanda READ și momentul când datele sunt disponibile
• DRAM asincron: interval specificat în nanosecunde (timp absolut)
• SDRAM sincron: interval specificat în cicluri de ceas
• Timpul real variază dacă frecvența ceasului diferă

7.5.6 — Fundamente ale operațiunii RAM

• DRAM este aranjat într-o matrice rectangulară (rânduri × coloane)
• Fiecare rând selectat de un word line orizontal
• Semnalul HIGH pe un rând activează MOSFET-urile, conectând condensatoarele de stocare la bit lines verticale
• Fiecare bit line este conectată la un sense amplifier
• Când nu e activ niciun rând, bit lines sunt menținute într-o stare preîncărcată (voltaj la jumătatea distanței între high și low)
• CAS latency = întârzierea între prezentarea adresei de coloană + CAS signal și momentul datelor disponibile
• Rândul dorit TREBUIE să fie deja activ; dacă nu, se adaugă timp suplimentar
• EXEMPLU modul 1 GiB SDRAM: 8 chipuri de 1 Gbit (128 MiB fiecare)
• Fiecare chip: 8 bănci de 128 Mibits
• Fiecare bancă: 16.384 rânduri × 8.192 biți
• Acces: 3 biți bancă + 14 biți adresă rând + 13 biți adresă coloană

7.5.7 — Efectul CAS latency asupra vitezei de acces

• Modulele au bănci interne multiple – date pot fi outputate din una în timpul latenței alteia (pipelining)
• Bandwidth-ul maxim realizabil depinde DOAR de viteza ceasului (prin pipelining)
• ATENȚIE: bandwidth-ul maxim se atinge doar când adresa datelor este cunoscută suficient de devreme
• Pipeline stalls = pierdere de bandwidth când adresa nu este predictibilă
• Random access complet: timp = închidere rând activ + deschidere rând dorit + CAS latency
• Acces secvențial (spatial locality): doar CAS latency determină timpul
• CAS latency specificat în cicluri de ceas → trebuie convertit în timp absolut pentru comparație
• CL mai mare numeric poate fi MAI RAPID dacă ceasul este mai rapid
• Exemplu: DDR4-3200 CL16 = 10,00 ns vs DDR4-2400 CL15 = 12,50 ns (CL16 e mai rapid!)
• DDR (Double Data Rate): 2 transferuri per ciclu de ceas
• CAS latency specificat în cicluri de ceas, NU transferuri
• Formula: CAS latency (ns) = (CL / frecvența ceasului) = CL × (2 / rată de transfer)
• Burst transfers: cache line modern = 64 bytes = 8 transferuri de 64 biți
• CAS latency = doar primul cuvânt; restul depind de data rate
• Critical word first: procesorul poate folosi primul cuvânt imediat

7.5.8 — Date CAS latency concrete (selecție din tabele)

• SDRAM PC100: CL 2, latență 20,00 ns
• DDR-400: CL 2.5-3, latență 12,50-15,00 ns
• DDR2-800: CL 4-6, latență 10,00-15,00 ns
• DDR3-1600: CL 6-11, latență 7,50-13,75 ns
• DDR4-3200: CL 14-16, latență 8,75-10,00 ns
• DDR5-4800: CL 34-40, latență 14,17-16,67 ns
• DDR5-6000: CL 26-40, latență 8,67-13,33 ns
• DDR5-6400: CL 28-40, latență 8,75-12,50 ns
• OBSERVAȚIE IMPORTANTĂ: CL a crescut numeric de la 2 (SDRAM) la 40 (DDR5)

dar latența absolută a rămas relativ stabilă (~10-15 ns) datorită frecvențelor mai mari

7.5.9 — Definiția DDR SDRAM

• DDR SDRAM = Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory
• Transferă date pe AMBELE fronturi ale semnalului de ceas (rising + falling)
• Astfel dublează rata de date fără a crește frecvența ceasului
• Bandwidth mai mare + consum mai mic de energie + interferență redusă
• Samsung: primul prototip 1997, primul chip comercial (64 Mbit) iunie 1998
• Specificație finalizată de JEDEC în iunie 2000 (JESD79)
• Prima placă de bază retail cu DDR: august 2000

7.5.10 — Generații DDR cu specificații

• DDR (2n prefetch, 1998): DDR-200 la DDR-400
• Frecvență: 100-200 MHz, Transfer: 200-400 MT/s, Bandwidth: 1600-3200 MB/s
• Voltaj: 2.5V (2.6V pentru DDR-400), DIMM: 184 pini
• DDR2 (4n prefetch, 2003): DDR2-400 la DDR2-1066
• Frecvență: 100-266 MHz, Transfer: 400-1066 MT/s, Bandwidth: 3200-8533 MB/s
• Voltaj: 1.8V, DIMM: 240 pini
• DDR3 (8n prefetch, 2007): DDR3-800 la DDR3-2133
• Frecvență: 100-266 MHz, Transfer: 800-2133 MT/s, Bandwidth: 6400-17066 MB/s
• Voltaj: 1.5V/1.35V, DIMM: 240 pini
• DDR4 (8n prefetch, 2014): DDR4-1600 la DDR4-3200
• Frecvență: 200-400 MHz, Transfer: 1600-3200 MT/s, Bandwidth: 12800-25600 MB/s
• Voltaj: 1.2V/1.05V, DIMM: 288 pini
• 16 bănci, 4 grupuri de bănci × 4 bănci
• DDR5 (16n prefetch, 2020): DDR5-3200 la DDR5-7200
• Frecvență: 200-450 MHz, Transfer: 3200-7200 MT/s, Bandwidth: 25600-57600 MB/s
• Voltaj: 1.1V, DIMM: 288 pini

7.5.11 — Principiul Double Data Rate

• DDR transferă de obicei 64 biți la un moment dat
• Rata de transfer efectivă = frecvența magistralei × 2 (DDR) × 64 biți ÷ 8 (conversie la bytes)
• Exemplu: modul DDR la 100 MHz = 1600 MB/s peak
• Fiecare generație a dublat prefetch depth: 2n → 4n → 8n → 8n → 16n

Aceasta crește rata externă fără a crește frecvența internă a DRAM-ului

7.5.12 — Module și organizare

• DIMM 64-bit data bus: necesită 8 chipuri de 8 biți, adresate în paralel
• Multiple chipuri cu linii de adresă comune = memory rank
• Multi-channel architecture (dual-channel) combate memory bottleneck
• DDR memory bus width per channel: 64 biți (72 pentru ECC)
• Consum de energie: ~1-3 W per modul de 512 MB (crește cu frecvența și utilizarea)
• Generațiile NU sunt backward/forward compatible (nu se pot interschimba pe aceeași placă)

7.5.13 — LPDDR (Low Power DDR)

• Varianta cu consum redus pentru dispozitive portabile
• Folosit în telefoane, handheld-uri, playere audio digitale
• Tehnici: voltaj redus, opțiuni avansate de refresh

7.5.14 — GDDR6 SDRAM

• GDDR6 = Graphics Double Data Rate 6 Synchronous Dynamic Random-Access Memory
• Tip de SGRAM (Synchronous Graphics RAM) cu interfață high-bandwidth, double data rate
• Proiectat pentru plăci grafice, console de jocuri, high-performance computing
• Succesor al GDDR5
• Specificație finalizată de JEDEC: iulie 2017
• Bandwidth per pin: până la 16 Gbit/s
• Voltaj operare: 1.35V (mai mic decât GDDR5X)

7.5.15 — Implementări comerciale GDDR6

• Samsung: primul chip produs în masă ianuarie 2018 (16 Gb / 2 GB, proces 10nm, 18 Gbit/s per pin)
• SK Hynix: producție masă februarie 2018 (8 Gbit, 14 Gbit/s per pin)
• Exemplu: 12 GB RAM, bus 384 biți → bandwidth 768 GB/s
• Micron: producție masă iunie 2018 (8 Gb)
• Primele plăci grafice cu GDDR6: Nvidia Turing (GeForce RTX 2080 Ti, 2080, 2070) – august 2018
• AMD Radeon RX 5700 (Navi 10): 8 GB GDDR6 – iunie 2019

7.5.16 — GDDR6X (variantă avansată)

• Dezvoltat de Micron în colaborare cu Nvidia (nestandardizat de JEDEC)
• Bandwidth per pin: 19-21 Gbit/s
• Utilizează semnalizare PAM4 (Pulse Amplitude Modulation 4-level)
• 2 biți per simbol vs 1 bit per simbol la NRZ (PAM2) standard
• Aceasta limitează GDDR6 normal la 16 Gbit/s per pin
• Primele plăci cu GDDR6X: Nvidia GeForce RTX 3080 și 3090
• Consumă 15% mai puțină energie per bit transferat vs GDDR6
• Considerat mai ieftin decât High Bandwidth Memory (HBM)

7.5.17 — GDDR6W (variantă Samsung)

• Anunțat de Samsung în noiembrie 2022
• Îmbunătățiri față de GDDR6:
• Rată transmisie per pin: 22 Gb/s
• Capacitate per package dublată: de la 16 Gb la 32 Gb
• Pini I/O dublați: de la 32 la 64
• Grosime cu 36% mai mică (0.7 mm vs 1.1 mm, prin Fan-Out Wafer-Level Packaging)

7.5.18 — Ierarhia memoriei (Memory Hierarchy)

• Niveluri cu latență și throughput real măsurat:
• Registre CPU: 18.432 biți, până la 256 GB/s, 0.25 ns (1 ciclu la 4 GHz)
• Cache L1 date: 32 KiB, până la 64 GB/s, 1 ns (4 cicluri)
• Cache L2: 1 MB, până la 18.3 GB/s, 3.5 ns (14 cicluri)
• Cache L3: 16-32 MB, până la 5.45 GB/s, 11.75 ns (47 cicluri)
• Memorie principală (DDR5-6000): 64 GiB, ~60 GB/s, 82.5 ns
• SSD NVMe: 2 TB, 2000 MB/s, 0.2 ms
• HDD: 18 TB, 500 MB/s, 4.16 ms
• Bottleneck principal: localitate de referință a acceselor de memorie
• CPU-urile moderne sunt atât de rapide încât stau inactiv așteptând I/O memorie
• Register pressure → cache pressure → memory pressure
• Register spilling (registru → cache), cache miss (cache → memorie principală), page fault (memorie → disk)
• Minimizarea distanței în ierarhia memoriei = cea mai importantă cale de creștere a performanței

7.5.19 — Memory latency - definiție

• Memory latency = timpul între inițierea unei cereri pentru un byte/word din memorie

și recuperarea acestuia de către procesor

• Dacă datele NU sunt în cache-ul procesorului → latență mai mare (comunicare cu celule externe)
• Măsură fundamentală a vitezei memoriei: latență mai mică = citire mai rapidă
• IMPORTANT: latența NU trebuie confundată cu bandwidth-ul memoriei (throughput)
• Latența exprimată în cicluri de ceas a rămas relativ stabilă în timp

dar s-a îmbunătățit în termeni de timp absolut

• Exemplu: DRAM-urile de 1 Mbit de pe module SIMM 30-pin aveau 70 ns latență

vs DDR4 DIMMs moderne cu sub 15 ns

Definiția memory bandwidth

• Memory bandwidth = rata la care datele pot fi citite din sau stocate într-o memorie semiconductoare de către un procesor

Fundamente ale operațiunii RAM

• Semnalul HIGH pe un rând activează MOSFET-urile, conectând condensatoarele de stocare la bit lines verticale
• Fiecare bit line este conectată la un sense amplifier
• Când nu e activ niciun rând, bit lines sunt menținute într-o stare preîncărcată (voltaj la jumătatea distanței între high și low)

Efectul CAS latency asupra vitezei de acces

• Critical word first: procesorul poate folosi primul cuvânt imediat

Module și organizare

• DIMM 64-bit data bus: necesită 8 chipuri de 8 biți, adresate în paralel

LPDDR (Low Power DDR)

• Folosit în telefoane, handheld-uri, playere audio digitale

GDDR6X (variantă avansată)

• 2 biți per simbol vs 1 bit per simbol la NRZ (PAM2) standard

Ierarhia memoriei (Memory Hierarchy)

• Registre CPU: 18.432 biți, până la 256 GB/s, 0.25 ns (1 ciclu la 4 GHz)
• CPU-urile moderne sunt atât de rapide încât stau inactiv așteptând I/O memorie

Memory latency - definiție

și recuperarea acestuia de către procesor

• Dacă datele NU sunt în cache-ul procesorului → latență mai mare (comunicare cu celule externe)

GDDR6 SDRAM

• Proiectat pentru plăci grafice, console de jocuri, high-performance computing

Calculul bandwidth-ului și nomenclatura

• Pentru DDR SDRAM (DDR, DDR2, DDR3, DDR4), bandwidth-ul total = produs de:
• Intel LGA 2011, NVIDIA GeForce GTX 980: 4 interfețe
• NVIDIA GeForce GTX TITAN: 384 biți (6 interfețe × 64 biți)
• AMD Radeon R9 290X: 512 biți (8 interfețe × 64 biți)

Definiția CAS latency

• DRAM asincron: interval specificat în nanosecunde (timp absolut)
• SDRAM sincron: interval specificat în cicluri de ceas

Efectul CAS latency asupra vitezei de acces

• CAS latency specificat în cicluri de ceas → trebuie convertit în timp absolut pentru comparație
• Exemplu: DDR4-3200 CL16 = 10,00 ns vs DDR4-2400 CL15 = 12,50 ns (CL16 e mai rapid!)
• CAS latency specificat în cicluri de ceas, NU transferuri

Date CAS latency concrete (selecție din tabele)

• DDR3-1600: CL 6-11, latență 7,50-13,75 ns
• DDR4-3200: CL 14-16, latență 8,75-10,00 ns
• DDR5-4800: CL 34-40, latență 14,17-16,67 ns
• DDR5-6000: CL 26-40, latență 8,67-13,33 ns
• DDR5-6400: CL 28-40, latență 8,75-12,50 ns
• OBSERVAȚIE IMPORTANTĂ: CL a crescut numeric de la 2 (SDRAM) la 40 (DDR5)

Definiția DDR SDRAM

• Samsung: primul prototip 1997, primul chip comercial (64 Mbit) iunie 1998

Generații DDR cu specificații

• DDR (2n prefetch, 1998): DDR-200 la DDR-400
• Frecvență: 100-200 MHz, Transfer: 200-400 MT/s, Bandwidth: 1600-3200 MB/s
• Voltaj: 2.5V (2.6V pentru DDR-400), DIMM: 184 pini
• DDR2 (4n prefetch, 2003): DDR2-400 la DDR2-1066
• Frecvență: 100-266 MHz, Transfer: 400-1066 MT/s, Bandwidth: 3200-8533 MB/s
• Voltaj: 1.8V, DIMM: 240 pini
• DDR3 (8n prefetch, 2007): DDR3-800 la DDR3-2133
• Frecvență: 100-266 MHz, Transfer: 800-2133 MT/s, Bandwidth: 6400-17066 MB/s
• Voltaj: 1.5V/1.35V, DIMM: 240 pini
• DDR4 (8n prefetch, 2014): DDR4-1600 la DDR4-3200
• Frecvență: 200-400 MHz, Transfer: 1600-3200 MT/s, Bandwidth: 12800-25600 MB/s
• Voltaj: 1.2V/1.05V, DIMM: 288 pini
• 16 bănci, 4 grupuri de bănci × 4 bănci
• DDR5 (16n prefetch, 2020): DDR5-3200 la DDR5-7200
• Frecvență: 200-450 MHz, Transfer: 3200-7200 MT/s, Bandwidth: 25600-57600 MB/s
• Voltaj: 1.1V, DIMM: 288 pini

GDDR6 SDRAM

• GDDR6 = Graphics Double Data Rate 6 Synchronous Dynamic Random-Access Memory
• Succesor al GDDR5
• Voltaj operare: 1.35V (mai mic decât GDDR5X)

Implementări comerciale GDDR6

• Samsung: primul chip produs în masă ianuarie 2018 (16 Gb / 2 GB, proces 10nm, 18 Gbit/s per pin)
• SK Hynix: producție masă februarie 2018 (8 Gbit, 14 Gbit/s per pin)
• Micron: producție masă iunie 2018 (8 Gb)
• Primele plăci grafice cu GDDR6: Nvidia Turing (GeForce RTX 2080 Ti, 2080, 2070) – august 2018
• AMD Radeon RX 5700 (Navi 10): 8 GB GDDR6 – iunie 2019

GDDR6X (variantă avansată)

• Dezvoltat de Micron în colaborare cu Nvidia (nestandardizat de JEDEC)
• Aceasta limitează GDDR6 normal la 16 Gbit/s per pin
• Primele plăci cu GDDR6X: Nvidia GeForce RTX 3080 și 3090
• Consumă 15% mai puțină energie per bit transferat vs GDDR6

GDDR6W (variantă Samsung)

• Anunțat de Samsung în noiembrie 2022
• Îmbunătățiri față de GDDR6:

Ierarhia memoriei (Memory Hierarchy)

• Memorie principală (DDR5-6000): 64 GiB, ~60 GB/s, 82.5 ns

Memory latency - definiție

vs DDR4 DIMMs moderne cu sub 15 ns

• Definiția memory bandwidth: Memory bandwidth = rata la care datele pot fi citite din sau stocate într-o memorie semiconductoare de către un procesor
• Convenții de măsurare a bandwidth-ului: 3 convenții diferite pentru definirea cantității de date transferate:
• Calculul bandwidth-ului și nomenclatura: Pentru DDR SDRAM (DDR, DDR2, DDR3, DDR4), bandwidth-ul total = produs de:
• Biți ECC: Sistemele cu memorie ECC (error-correcting code) au interfețe mai late (72 biți vs 64)
• Definiția CAS latency: CAS latency (CL) = Column Address Strobe latency
• Fundamente ale operațiunii RAM: DRAM este aranjat într-o matrice rectangulară (rânduri × coloane)
• Efectul CAS latency asupra vitezei de acces: Modulele au bănci interne multiple – date pot fi outputate din una în timpul latenței alteia (pipelining)
• Date CAS latency concrete (selecție din tabele): SDRAM PC100: CL 2, latență 20,00 ns
• Definiția DDR SDRAM: DDR SDRAM = Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory
• Generații DDR cu specificații: DDR (2n prefetch, 1998): DDR-200 la DDR-400
• Principiul Double Data Rate: DDR transferă de obicei 64 biți la un moment dat
• Module și organizare: DIMM 64-bit data bus: necesită 8 chipuri de 8 biți, adresate în paralel
• LPDDR (Low Power DDR): Varianta cu consum redus pentru dispozitive portabile
• GDDR6 SDRAM: GDDR6 = Graphics Double Data Rate 6 Synchronous Dynamic Random-Access Memory
• Implementări comerciale GDDR6: Samsung: primul chip produs în masă ianuarie 2018 (16 Gb / 2 GB, proces 10nm, 18 Gbit/s per pin)
• GDDR6X (variantă avansată): Dezvoltat de Micron în colaborare cu Nvidia (nestandardizat de JEDEC)
• GDDR6W (variantă Samsung): Anunțat de Samsung în noiembrie 2022
• Ierarhia memoriei (Memory Hierarchy): Niveluri cu latență și throughput real măsurat:
• Memory latency - definiție: Memory latency = timpul între inițierea unei cereri pentru un byte/word din memorie

Întrebarea 1

Care afirmație este corectă despre: Exemplu?

• a) Același exemplu = 2 milioane bytes/s (1M citit + 1M scris)
• b) copierea a 1 milion de bytes = 1 milion bytes/s
• c) Pentru DDR SDRAM (DDR, DDR2, DDR3, DDR4), bandwidth-ul total = produs de:
• d) dual-channel DDR2-800 la 400 MHz:

Întrebarea 2

Care afirmație este corectă despre: Calculul bandwidth-ului și nomenclatura?

• a) Același exemplu = 2 milioane bytes/s (1M citit + 1M scris)
• b) dual-channel DDR2-800 la 400 MHz:
• c) copierea a 1 milion de bytes = 1 milion bytes/s
• d) Pentru DDR SDRAM (DDR, DDR2, DDR3, DDR4), bandwidth-ul total = produs de:

Întrebarea 3

Care afirmație este corectă despre: DRAM asincron?

• a) Pentru DDR SDRAM (DDR, DDR2, DDR3, DDR4), bandwidth-ul total = produs de:
• b) interval specificat în nanosecunde (timp absolut)
• c) copierea a 1 milion de bytes = 1 milion bytes/s
• d) Același exemplu = 2 milioane bytes/s (1M citit + 1M scris)

Întrebarea 4

Care afirmație este corectă despre: EXEMPLU modul 1 GiB SDRAM?

• a) Același exemplu = 2 milioane bytes/s (1M citit + 1M scris)
• b) copierea a 1 milion de bytes = 1 milion bytes/s
• c) 8 chipuri de 1 Gbit (128 MiB fiecare)
• d) Pentru DDR SDRAM (DDR, DDR2, DDR3, DDR4), bandwidth-ul total = produs de:

Întrebarea 5

Care afirmație este corectă despre: ATENȚIE?

• a) Același exemplu = 2 milioane bytes/s (1M citit + 1M scris)
• b) copierea a 1 milion de bytes = 1 milion bytes/s
• c) Pentru DDR SDRAM (DDR, DDR2, DDR3, DDR4), bandwidth-ul total = produs de:
• d) bandwidth-ul maxim se atinge doar când adresa datelor este cunoscută suficient de devreme

🧠 Exercițiu: Bandwidth și memorie

Scenariu: Analizezi un sistem hardware care utilizează conceptul de bandwidth. Pe baza cunoștințelor din această lecție, răspunde la următoarele întrebări:

• 1. Defineste pe scurt: bandwidth.
• 2. Ce rol are latență în contextul hardware-ului?
• 3. Explică relația dintre bandwidth și influența asupra performanței.